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2SK4069
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
30
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
25
C iss
20
15
10
5
V GS = 4.5 V
10 V
I D = 15 A
1000
100
V GS = 0 V
C rss
C oss
0
Pulsed
10
f = 1 MHz
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
100
t d(off)
25
20
V DD = 20 V ／ I D = 30 A
12 V ／ 30 A
5 V ／ 22.5 A
14
12
10
15
8
10
t d(on)
t f
10
V GS
6
4
1
V DD = 12 V
V GS = 12 V
R G = 3 Ω
t r
5
0
V DS
2
0
0.1
1
10
100
0
5
10
15
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
100
10
V GS = 10 V
4.5 V
0V
10
V GS = 0 V
1
0.1
Pulsed
0.01
1
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18032EJ3V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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